講演情報
[7p-N301-4]RFマグネトロンスパッタリング法を用いたSi直上でのY添加HfO2薄膜の配向性及び強誘電性の制御
〇近藤 真矢1,2、小野 友慈2、澤木 陽向1、村井 俊哉3、高 磊3、岡本 一輝4、舟窪 浩4、寺西 貴志2、岸本 昭2、山田 智明1,5 (1.名大、2.岡山大、3.産総研、4.科学大、5.科学大MDX)
キーワード：
HfO2基強誘電体、薄膜、RFマグネトロンスパッタリング法
強誘電体HfO2基薄膜はCMOSプロセスと互換性があり，Siフォトニクスに適合可能な材料として期待されている．これまで単結晶基板上のエピタキシャルY添加HfO2 (YHO) 薄膜で電気光学 (EO) 効果を初めて報告し， 最近ではZr添加HfO2薄膜でも同等のEO係数が報告されている．一方で，これまでの 報告では，Si直上では極薄膜を除いて強誘電性を有するHfO2基エピタキシャル薄膜の報告はない．そこで本研究では，RFマグネトロンスパッタリング法を用いた非加熱成膜と極薄Y-Hfバッファ層の導入による意図的な界面層制御により界面反応層の生成を抑制し，これらが Si基板直上のYHO薄膜の配向性及び強誘電性に与える影響について報告する．