[7p-N301-1~17] CS.7 Code-sharing session of 6.1&13.3&13.5

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[7p-N301-6] Changes in the chemical states of Al-doped HfO₂ thin films induced by electric field cycling

〇Tomoya Mifune¹, Hideaki Tanimura^1,2, Yuma Ueno², Yusuke Tani², Hironori Fujisawa¹, Seiji Nakashima¹, Ai I. Osaka¹, Yasumasa Takagi³, Akira Yasui³, Jiayi Tang³, Shinichi Kato², Takumi Mikawa² (1.Univ. of Hyogo, 2.SCREEN, 3.JASRI)

Keywords:

Flash Lamp Annealing,HfO2,Al:HfO2

我々は、FLAによって直方晶相の形成が促進され、分極値が向上することから、Al:HfO₂(HAO)薄膜の結晶化に適した熱処理法であることを報告した。本研究では、FLAではRTAと異なる化学結合状態や酸素空孔分布が形成される可能性に着目し、AR-HAXPESを用いてHAO中の深さ方向における化学結合状態を評価した。その結果、電界サイクリングにより上部電極界面付近の酸素欠損の分布が変化する事を明らかにした。