講演情報
[7p-N301-6]電圧サイクリングに伴うAl:HfO2薄膜の化学結合状態の変化
〇三船 智哉1、谷村 英昭1,2、植野 雄守2、谷 勇佑2、藤沢 浩訓1、中嶋 誠二1、大坂 藍1、高木 康多3、保井 晃3、唐 佳藝3、加藤 慎一2、三河 巧2 (1.兵庫県大工、2.SCREEN、3.JASRI)
キーワード：
フラッシュランプアニール、ハフニア、Al:HfO₂
我々は、FLAによって直方晶相の形成が促進され、分極値が向上することから、Al:HfO2(HAO)薄膜の結晶化に適した熱処理法であることを報告した。本研究では、FLAではRTAと異なる化学結合状態や酸素空孔分布が形成される可能性に着目し、AR-HAXPESを用いてHAO中の深さ方向における化学結合状態を評価した。その結果、電界サイクリングにより上部電極界面付近の酸素欠損の分布が変化する事を明らかにした。