[7p-N302-1~19] 17.3 Layered materials

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)

[7p-N302-1] Grain Boundary-mediated Self-aligned Single Crystallization of MoS₂ Monolayer on Sapphire Substrate

〇Yoshiki Sakuma¹, Takanobu Hiroto¹, Jun Nara¹, Akihiro Ohtake¹, Yuki Ono², Takashi Matsumoto² (1.NIMS, 2.Tokyo Electron Technology Solutions Ltd.)

Keywords:

MoS2,MOCVD,Single crystal

MoO₂Cl₂とH₂Sをプリカーサに使ったMOCVD方式のMoS₂成膜で、c面サファイア上に一方向性の単結晶連続膜の形成に成功している。成膜初期の成長核には回転ドメインや反転ドメインが存在するが、coalescence開始とともにこれらが消滅しながら単結晶化する興味深い現象を見出した。in-plane XRDやTEMの結果をもとに、サファイア上の単層MoS₂の面内自己配列現象を支配するメカニズムとして、回転や反転ドメインの消滅過程に及ぼす結晶粒界の役割を議論する。