講演情報
[7p-N302-1]結晶粒界を介したサファイア基板上の単層MoS2の自己配列単結晶化
〇佐久間 芳樹1、廣戸 孝信1、奈良 純1、大竹 晃浩1、小野 佑樹2、松本 貴士2 (1.NIMS、2.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ(株）)
キーワード：
MoS2、MOCVD、単結晶
MoO2Cl2とH2Sをプリカーサに使ったMOCVD方式のMoS2成膜で、c面サファイア上に一方向性の単結晶連続膜の形成に成功している。成膜初期の成長核には回転ドメインや反転ドメインが存在するが、coalescence開始とともにこれらが消滅しながら単結晶化する興味深い現象を見出した。in-plane XRDやTEMの結果をもとに、サファイア上の単層MoS2の面内自己配列現象を支配するメカニズムとして、回転や反転ドメインの消滅過程に及ぼす結晶粒界の役割を議論する。