[7p-N302-1~19] 17.3 Layered materials

5:15 PM - 5:30 PM JST(8:15 AM - 8:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[7p-N302-15] Phase-Control Fabrication of MoTe₂ Thin Films by RF Magnetron Sputtering and Tellurization Annealing in (i-C₃H₇)₂Te Atmosphere

〇Sota Higashi¹, Taichi Ishikawa¹, Hiroshi Yokota¹, Ryo Yokogawa^2,3,4, Hideaki Machida⁵, Masato Ishikawa⁵, Hiroshi Sudoh⁵, Atsushi Ogura^1,2 (1.School of Sci. and Technol., Meiji Univ., 2.MREL, 3.RISE, Hiroshima Univ., 4.Grad. School of Adv. Sci. and Eng., Hiroshima Univ., 5.Gas-phase Growth Ltd.)

Keywords:

TMD

本研究ではRFマグネトロンスパッタリング法によるMoTe₂成膜と(i-C₃H₇)₂Te 雰囲気でのTe化アニールで2H-MoTe₂の成膜を試みた。測定したラマンスペクトルでは、600℃でTe化アニールした試料でのみ2H相由来のピークを観測し、それ以外の試料では1T’相由来のピークを観測したことから、Te化アニールが2H相への結晶構造変化に有用なことが分かった。