講演情報
[7p-N302-15]RFマグネトロンスパッタリングと(i-C3H7)2TeアニールによるMoTe2薄膜の相制御
〇東 奏太1、石川 太一1、横田 浩1、横川 凌2,3,4、町田 英明5、石川 真人5、須藤 弘5、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.明大MREL、3.広島大RISE、4.広島大院先進理工、5.気相成長株式会社)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド
本研究ではRFマグネトロンスパッタリング法によるMoTe2成膜と(i-C3H7)2Te 雰囲気でのTe化アニールで2H-MoTe2の成膜を試みた。測定したラマンスペクトルでは、600℃でTe化アニールした試料でのみ2H相由来のピークを観測し、それ以外の試料では1T’相由来のピークを観測したことから、Te化アニールが2H相への結晶構造変化に有用なことが分かった。