[7p-N302-1~19] 17.3 Layered materials

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)

[7p-N302-3] Low-Temperature Deposition of Sulfides via Sulfur Plasma-Driven Reactive Sputtering

〇ISSEI SUZUKI¹, Daiki Motai¹, Taichi Nogami¹, Takahisa Omata¹ (1.Tohoku Univ.)

Keywords:

Sulfides,Reactive Sputtering,TMDC

硫化物半導体デバイスの構造や製造プロセスの自由度を高めるためには、基板加熱に依存しない低温成膜技術が不可欠である。本研究では、高反応性の硫黄プラズマを活用した反応性スパッタ法を開発した。300 °Cの基板温度にて高い結晶性のMoS₂やWS₂、SnS薄膜が得られた。また、硫黄プラズマが結晶化や結晶成長を促進するメカニズムについて検討した。