講演情報
[7p-N302-3]硫黄プラズマを活用した反応性スパッタによる硫化物の低温成膜
〇鈴木 一誓1、茂田井 大輝1、野上 大一1、小俣 孝久1 (1.東北大学)
キーワード：
硫化物、反応性スパッタ、TMDC
硫化物半導体デバイスの構造や製造プロセスの自由度を高めるためには、基板加熱に依存しない低温成膜技術が不可欠である。本研究では、高反応性の硫黄プラズマを活用した反応性スパッタ法を開発した。300 °Cの基板温度にて高い結晶性のMoS2やWS2、SnS薄膜が得られた。また、硫黄プラズマが結晶化や結晶成長を促進するメカニズムについて検討した。