[7p-N302-1~19] 17.3 Layered materials

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[7p-N302-5] Quality Enhancement of PVD-WS₂ Thin Film using H₂S Annealing

〇Soma Ito¹, Naoki Matsuanga¹, Kaede Teraoka¹, Jaehyo Jang¹, Taiga Fuse¹, Shunsuke Nozawa¹, Iriya Muneta¹, Takuya Hosii¹, Kuniyuki Kakushima¹, Hitoshi Wakabayashi¹ (1.Science Tokyo)

Keywords:

transition metal dichalcogenide,tungsten disulfide,2D material

PVD法で作製したWS₂薄膜の硫黄欠陥に対し、H₂Sアニールを適用した 。従来の硫黄雰囲気中アニールで見られた不要なS-S結合の形成を抑制しつつ 、組成比(S/W比)を理想値である2に近づけることに成功した。本手法は高品質なWS₂薄膜の実現に有効である 。