講演情報
[7p-N302-5]H2S中アニールによるPVD-WS2薄膜の膜質改善
〇伊東 壮真1、松永 尚樹1、寺岡 楓1、Jang Jaehyo1、布施 太翔1、野澤 俊輔1、宗田 伊理也1、星井 拓也1、角嶋 邦之1、若林 整1 (1.科学大工)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド、二硫化タングステン、二次元材料
PVD法で作製したWS2薄膜の硫黄欠陥に対し、H2Sアニールを適用した 。従来の硫黄雰囲気中アニールで見られた不要なS-S結合の形成を抑制しつつ 、組成比(S/W比)を理想値である2に近づけることに成功した。本手法は高品質なWS2薄膜の実現に有効である 。