[7p-N401-1~16] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

4:15 PM - 4:30 PM JST(7:15 AM - 7:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[7p-N401-10] Selective-area MOVPE of InGaAs core-multishell nanowires on thin SOI layer and fabrication of vertical gate-all-around tunnel FETs

〇(M1)Kai Fujimoto^1,2, Keita Taniyama^1,2, Yuki Azuma^1,2, Ryosei Uchida^1,2, Junichi Motohisa^1,2, Katsuhiro Tomioka^1,2 (1.Hokkaido Univ., 2.RCIQE)

Keywords:

nanowires,transistor,III-V

電界効果トランジスタ(FET)の熱拡散に基づくキャリア輸送機構は、駆動電圧を決定するサブスレッショルド係数(SS)に最小物理限界(60 mV/桁)を与え、低電圧化が困難となる。この物理限界を回避し急峻なSSを実現するトランジスタ素子として、トンネルFET(TFET)が有望である。本研究では、回路応用へ向けて、SOI(111)面上の変調ドープ型InGaAsコアマルチシェルナノワイヤ選択成長と縦型ゲートオールアラウンドトンネルFETを作製したので報告する。