講演情報
[7p-N401-10]薄膜SOI上のInGaAsコアマルチシェルナノワイヤ選択成長と縦型ゲートオールアラウンドトンネルFETの作製
〇(M1)藤本 開1,2、谷山 慶太1,2、東 佑樹1,2、内田 凌聖1,2、本久 順一1,2、冨岡 克広1,2 (1.北海道大、2.RCIQE)
キーワード：
ナノワイヤ、トランジスタ、III-V
電界効果トランジスタ(FET)の熱拡散に基づくキャリア輸送機構は、駆動電圧を決定するサブスレッショルド係数(SS)に最小物理限界(60 mV/桁)を与え、低電圧化が困難となる。この物理限界を回避し急峻なSSを実現するトランジスタ素子として、トンネルFET(TFET)が有望である。本研究では、回路応用へ向けて、SOI(111)面上の変調ドープ型InGaAsコアマルチシェルナノワイヤ選択成長と縦型ゲートオールアラウンドトンネルFETを作製したので報告する。