[7p-N401-1~16] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

5:15 PM - 5:30 PM JST(8:15 AM - 8:30 AM UTC)

[7p-N401-13] Impurity Ion Doping into Si Quantum Dots

〇Kazumasa Yonetsu¹, Tomohisa Mizuno¹ (1.Kanagawa Univ.)

Keywords:

semiconductor,Quantum dot

Si酸化膜中に形成されたSi量子ドットに対し、P⁺イオンドーピングを行った。PL測定より、ドーズ量増加に伴いピークエネルギーが低下し、バンドギャップナローイングが確認された。またHAXPESより、P–Si結合が観測され、ドーピングの成立が示された。