[7p-N401-1~16] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

17:15 〜 17:30

[7p-N401-13] Si量子ドットへの不純物イオンドーピング

〇米津 和正¹、水野 智久¹ (1.神奈川大学理)

キーワード：

半導体、量子ドット

Si酸化膜中に形成されたSi量子ドットに対し、P⁺イオンドーピングを行った。PL測定より、ドーズ量増加に伴いピークエネルギーが低下し、バンドギャップナローイングが確認された。またHAXPESより、P–Si結合が観測され、ドーピングの成立が示された。