[7p-N401-1~16] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

5:30 PM - 5:45 PM JST(8:30 AM - 8:45 AM UTC)

[7p-N401-14] Optical Properties of SiO_x Thin Films Containing Si Quantum Dots and Electrical Characterization of MIS Devices

〇Toshiya Kondo¹, Hiroshi Katsumata¹ (1.Meiji Univ.)

Keywords:

Si quantum dot,indoor photovoltaic,sputtering

Si量子ドット（Si-QD）は結晶粒径によりバンドギャップが制御できるため、屋内光用太陽電池（IPV）に適した材料設計が可能と考える。本研究では、スパッタリング成膜時におけるSiチップ/SiO₂ターゲットの面積比を変化させることで、Si-QD含有SiO_x薄膜の物性評価を行うとともに、同薄膜を用いた光起電力デバイスの作製およびその電気的特性の評価を行った。