講演情報
[7p-N401-14]Si量子ドット含有SiOx薄膜の光学特性およびMISデバイスの電気的特性評価
〇近藤 利哉1、勝俣 裕1 (1.明大理工)
キーワード：
Si量子ドット、屋内光用太陽電池、スパッタリング
Si量子ドット（Si-QD）は結晶粒径によりバンドギャップが制御できるため、屋内光用太陽電池（IPV）に適した材料設計が可能と考える。本研究では、スパッタリング成膜時におけるSiチップ/SiO2ターゲットの面積比を変化させることで、Si-QD含有SiOx薄膜の物性評価を行うとともに、同薄膜を用いた光起電力デバイスの作製およびその電気的特性の評価を行った。