[7p-N401-1~16] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[7p-N401-6] Electric field control of circular polarization oscillation characteristics in InGaAs quantum dots tunnel-coupled with a GaNAs quantum well

〇Shunsuke Sakano¹, Hiroto Kise¹, Junichi Takayama¹, Akihiro Murayama¹, Satoshi Hiura¹ (1.IST, Hokkaido Univ.)

Keywords:

quantum dot,GaNAs,electron spin phase

我々はこれまでにGaNAs量子井戸とInAs量子ドットのトンネル結合構造において、GaNAsの膜厚や励起スピン密度を変えてGaNAsの局在準位のスピン占有度を変化させることで、円偏光度振動周波数が変化することを報告した。本研究では、GaNAs量子井戸とInGaAs量子ドットのトンネル構造から成る電界効果デバイスを開発し、バイアス電圧を調整することで円偏光度振動周波数を大きく制御することに成功した。