講演情報
[7p-N401-6]GaNAs量子井戸とトンネル結合したInGaAs量子ドットにおける円偏光度振動特性の電界制御
〇坂野 駿介1、木瀬 寛人1、高山 純一1、村山 明宏1、樋浦 諭志1 (1.北大院情報科学)
キーワード：
量子ドット、GaNAs、電子スピン位相
我々はこれまでにGaNAs量子井戸とInAs量子ドットのトンネル結合構造において、GaNAsの膜厚や励起スピン密度を変えてGaNAsの局在準位のスピン占有度を変化させることで、円偏光度振動周波数が変化することを報告した。本研究では、GaNAs量子井戸とInGaAs量子ドットのトンネル構造から成る電界効果デバイスを開発し、バイアス電圧を調整することで円偏光度振動周波数を大きく制御することに成功した。