Presentation Information
[7p-N403-6]Effects Comparative Evaluation of Three Mg2Si Thin Film Formation Processes Including Deposition and Annealing
〇Ryoga Toyama1, Hiroshi Katsumata1 (1.Meiji Univ.)
Keywords:
Mg2Si,sputtering,electrical properties
Mg2Si薄膜の形成における課題として、酸化、結晶性のばらつき、ならびにSi基板との良好なヘテロ界面の形成が挙げられる。これらはSi基板とのヘテロ接合デバイスの特性を劣化させる要因となっている。本研究では、RFマグネトロンスパッタリング法を用い、1) Mg2Siターゲット（tgt）による成膜、2) Mg-tgtを用いたSi基板上での固相成長法および3) Mg-tgtとSiチップによる共スパッタ法の3つの手法によってMg2Si薄膜を作製し、それぞれの物性を比較評価した。