講演情報
[7p-N403-6]Mg2Si 薄膜の成膜および熱処理を含む3種形成プロセスの比較評価
〇外山 涼雅1、勝俣 裕1 (1.明大理工)
キーワード：
マグネシウムシリサイド、スパッタリング、電気特性
Mg2Si薄膜の形成における課題として、酸化、結晶性のばらつき、ならびにSi基板との良好なヘテロ界面の形成が挙げられる。これらはSi基板とのヘテロ接合デバイスの特性を劣化させる要因となっている。本研究では、RFマグネトロンスパッタリング法を用い、1) Mg2Siターゲット（tgt）による成膜、2) Mg-tgtを用いたSi基板上での固相成長法および3) Mg-tgtとSiチップによる共スパッタ法の3つの手法によってMg2Si薄膜を作製し、それぞれの物性を比較評価した。