Presentation Information
[7p-S103-6]Endpoint detection in Atomic Layer Etching (ALE) for GaN MISHEMT structures - Optical in-situ control with sub-nm precision
〇Yuto Tomita1, Kolja Haberland1, Macello Binetti1, Daniel Cornwell1, Christian Loerchner-Gerdaus1, Thomas Zettler1 (1.LayTec AG)
Keywords:
in-situ monitoring,end point detection,Atomic Layer Etching (ALE)
本研究では、Atomic Layer Etching（ALE）プロセス中の反射率をリアルタイムでモニタリングする光学式その場観測エンドポイント検出法を提案する。本手法により、ウエハーごとの層厚ばらつきに起因する過剰エッチングを抑制し、サブナノメートル精度での高精度なエッチング制御を実現した。反射率の変化とTEM観察による検証により、本手法の高い精度と優れた再現性が確認された