[7p-S103-1~11] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術（２）

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[7p-S103-6] その場観測 エンドポイント検出法を用いたGaN MISHEMTでのサブナノ精度のエッチングプロセス制御

〇冨田 勇人¹、Kolja Haberland¹、Macello Binetti¹、Daniel Cornwell¹、Christian Loerchner-Gerdaus¹、Thomas Zettler¹ (1.LayTec AG)

キーワード：

その場観測、エンドポイント検出、原子層エッチング

本研究では、Atomic Layer Etching（ALE）プロセス中の反射率をリアルタイムでモニタリングする光学式その場観測エンドポイント検出法を提案する。本手法により、ウエハーごとの層厚ばらつきに起因する過剰エッチングを抑制し、サブナノメートル精度での高精度なエッチング制御を実現した。反射率の変化とTEM観察による検証により、本手法の高い精度と優れた再現性が確認された