[7p-S103-1~11] Atomic Layer Process (ALP) analysis and application technologies (2)

4:15 PM - 4:30 PM JST(7:15 AM - 7:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[7p-S103-8] Mechanism of TiN Chlorination during Thermal-Cyclic Atomic Layer Etching via In-Situ Surface Reaction Analysis

〇(M2)Shunya Hirai¹, Kazunori Shinoda², Thi-Thuy-Nga Nguyen¹, Kenichi Inoue¹, Takayoshi Tsutsumi¹, Kenji Ishikawa¹ (1.Nagoya Univ., 2.Hitachi High-Tech Corp.)

Keywords:

Thermal-Cyclic ALE,Titanium Nitride,Surface Modification

GAA-FETなどでは、等方的なエッチング技術が重要であり、メタルゲート加工用にプラズマ中の塩素ラジカル照射と温度制御を組み合わせたTiNの熱サイクル原子層エッチングが開発された。しかしながら、その詳細なメカニズムは未解明である。
この研究ではIn-Situ XPSによる詳細な測定を通して、その表面反応、特に塩化過程を明らかにした。これはプロセスの自己制限性の原因解明に繋がることが期待される。