[7p-S103-1~11] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術（２）

16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[7p-S103-8] 窒化チタンの熱サイクル原子層エッチング(Thermal-Cyclic ALE)における塩化プロセスのIn-Situ表面反応解析によるメカニズム解明

〇(M2)平井 俊也¹、篠田 和典²、グエン ティ トゥイ ガー¹、井上 健一¹、堤 隆嘉¹、石川 健治¹ (1.名大、2.日立ハイテク)

キーワード：

熱サイクル原子層エッチング、窒化チタン、表面改質

GAA-FETなどでは、等方的なエッチング技術が重要であり、メタルゲート加工用にプラズマ中の塩素ラジカル照射と温度制御を組み合わせたTiNの熱サイクル原子層エッチングが開発された。しかしながら、その詳細なメカニズムは未解明である。
この研究ではIn-Situ XPSによる詳細な測定を通して、その表面反応、特に塩化過程を明らかにした。これはプロセスの自己制限性の原因解明に繋がることが期待される。