[7p-S103-1~11] Atomic Layer Process (ALP) analysis and application technologies (2)

4:30 PM - 4:45 PM JST(7:30 AM - 7:45 AM UTC)

[7p-S103-9] Low-temperature Nb-PEALD process using NbCl5 precursor

〇Jun Yamaguchi¹, Jun Tanaka¹, Akimasa Nakashima¹, Noboru Sato¹, Naoki Tamaoki¹, Atsuhiro Tsukune¹, Yukihiro Shimogaki¹ (1.The Univ. Tokyo)

Keywords:

atomic layer deposition,PEALD,Nb

NbCl₅およびH₂プラズマを用いた低温PEALDプロセスを検討し，誘導結合プラズマ(ICP)および基板バイアスを印加し，基板温度200℃にて熱酸化膜上に高純度Nb膜の合成に成功した。