[7p-S103-1~11] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術（２）

16:30 〜 16:45

[7p-S103-9] NbCl₅を用いた低温Nb-PEALDプロセス

〇山口 潤¹、田中 潤¹、中島 章雅¹、佐藤 登¹、玉置 直樹¹、筑根 敦弘¹、霜垣 幸浩¹ (1.東大院工)

キーワード：

原子層堆積、プラズマALD、ニオブ

NbCl₅およびH₂プラズマを用いた低温PEALDプロセスを検討し，誘導結合プラズマ(ICP)および基板バイアスを印加し，基板温度200℃にて熱酸化膜上に高純度Nb膜の合成に成功した。