[7p-S203-14~17] 17.2 Graphene

5:00 PM - 5:15 PM JST(8:00 AM - 8:15 AM UTC)

[7p-S203-15] The effect of buffer layer on step bunching during graphene growth

〇Keiju Sato¹, Takuji Maekawa¹, Yoshiaki Oku¹, Ken Nakahara¹, Wataru Norimatsu² (1.ROHM Co., Ltd., 2.Waseda Univ.)

Keywords:

Graphene,SiC,Remote Epitaxy

SiCリモートエピタキシーのためには、オフ基板上でグラフェン（Gr）を成長する必要がある。またデバイスの信頼性の観点から、Gr成長中に起こるステップバンチング（ステップが束になりより大きなステップを生成する現象）を抑制する必要がある。本研究では、4°オフ基板上で効果的にステップバンチングを抑制できるGr成長手法を提案するとともに、その効果を定量的に調査した結果について報告する。