講演情報
[7p-S203-15]グラフェン成長中のステップバンチングに対するバッファー層の影響
〇佐藤 京樹1、前川 拓滋1、奥 良彰1、中原 健1、乗松 航2 (1.ローム株式会社、2.早大理工)
キーワード：
グラフェン、SiC、リモートエピタキシー
SiCリモートエピタキシーのためには、オフ基板上でグラフェン（Gr）を成長する必要がある。またデバイスの信頼性の観点から、Gr成長中に起こるステップバンチング（ステップが束になりより大きなステップを生成する現象）を抑制する必要がある。本研究では、4°オフ基板上で効果的にステップバンチングを抑制できるGr成長手法を提案するとともに、その効果を定量的に調査した結果について報告する。