[8a-N105-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)

[8a-N105-4] Evaluation of fluctuations within the crystal grains of Ce-doped hydrogenated indium oxide (ICO:H) thin films

〇Koya Kudo^1,2, Chia-Tsong Chen¹, Tatsuro Maeda¹ (1.AIST., 2.Chiba Univ.)

Keywords:

Transparent Conductive Oxide,Cerium-Doped hydrogenated Indium Oxide,Solid Phase Crystallization

固相結晶化法を用いたセリウムドープ水素化酸化インジウム(ICO:H)において、薄膜化により移動度が劣化すること、さらに結晶粒内に放射状の模様が出現することを確認している。そこで今回は、動度劣化の要因を明らかにすることを目的として、走査型イオン顕微鏡（SIM）および走査透過型電子顕微鏡（STEM）を用いて、ICO:H薄膜の結晶粒および結晶粒内構造の評価を行ったので報告する。