[8a-N105-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:45 〜 10:00

[8a-N105-4] Ceドープ水素化酸化インジウム薄膜(ICO:H)の結晶粒内の揺らぎ評価

〇工藤 晃哉^1,2、陳 家驄¹、前田 辰郎¹ (1.産総研、2.千葉大学)

キーワード：

透明導電性酸化物、セリウムドープ水素化酸化インジウム、固相結晶化

固相結晶化法を用いたセリウムドープ水素化酸化インジウム(ICO:H)において、薄膜化により移動度が劣化すること、さらに結晶粒内に放射状の模様が出現することを確認している。そこで今回は、動度劣化の要因を明らかにすることを目的として、走査型イオン顕微鏡（SIM）および走査透過型電子顕微鏡（STEM）を用いて、ICO:H薄膜の結晶粒および結晶粒内構造の評価を行ったので報告する。