[8a-N201-1~10] 6.1 Ferroelectric thin films

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8a-N201-10] Polarity control of AlN thin films by gas ratio in sputtering and polarization inverted SMR

〇Ayaka Hanai^1,2, Takahiko Yanagitani^1,2 (1.Waseda Univ., 2.ZAIKEN)

Keywords:

polarization inversion,polarity control,pure AlN

RFマグネトロンスパッタ法においてAr/N₂ガス比を制御することで、通常Al極性成長するAlN薄膜の極性をN極性成長させる手法を検討した。得られた分極反転膜を用いて、二層構造の分極反転SMRを試作し、反共振周波数のシフト相殺とk_eff²の向上から、分極反転構造の形成を実証した。