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9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8a-N201-3]Effects of seed layer on the growth of Sc-doped AlN thin films by High-Speed co-PLD and its impact on properties

〇(M2)Taiyo Mitaka¹, Xueyou Yuan¹, Shinya Kondo¹, Tomoaki Yamada^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.Science Tokyo, MDX)

Keywords:

ferroelectric thin firm,Sc-doped AlN,pulsed laser deposition (PLD)

ウルツ鉱型窒化アルミニウム(AlN)にScを添加したAlN基薄膜が強誘電性を示すことが近年報告され不揮発性メモリや光変調器への応用が期待されているが，それらの実現には高品質な強誘電性AlN基薄膜の成長技術の確立が必要である．本研究ではPLDを用いてAlScN薄膜を作製し，それら薄膜の特性を調査した．
AlNシード層の導入がAlScN薄膜の(0001)エピタキシャル成長を促すこと，ロッキングカーブの半値幅が顕著に減少させることが明らかになった．

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