[8a-N201-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[8a-N201-3] 高速co-PLD法で作製したSc添加AlN薄膜の成長におけるシード層導入効果と特性への影響

〇(M2)三高 大陽¹、Yuan Xueyou¹、近藤 真矢¹、山田 智明^1,2 (1.名大工、2.東京科学大MDX)

キーワード：

強誘電体薄膜、AlScN、パルスレーザ堆積法 (PLD)

ウルツ鉱型窒化アルミニウム(AlN)にScを添加したAlN基薄膜が強誘電性を示すことが近年報告され不揮発性メモリや光変調器への応用が期待されているが，それらの実現には高品質な強誘電性AlN基薄膜の成長技術の確立が必要である．本研究ではPLDを用いてAlScN薄膜を作製し，それら薄膜の特性を調査した．
AlNシード層の導入がAlScN薄膜の(0001)エピタキシャル成長を促すこと，ロッキングカーブの半値幅が顕著に減少させることが明らかになった．