Presentation Information
[8a-N201-8]Multilayerd ferroelectric Zn(Ce,Mn)O thin films
〇Atsuhiro Tamai1, Yudai Yoshino1, Kazuki Nomura1, He Jingwei1, Kwoen Sang Hyo1, Hideaki Adachi1, Kanno Isaku1 (1.Kobe UniV.)
Keywords:
ferroelectric thin films,ZnO thin films,piezoelectric thin films
近年,ZnOやAlNに代表されるウルツ鉱構造材料の強誘電性が報告され,その高いPrから圧電や半導体分野への応用が期待されている.一方,高いEcの低減が課題となっており,AlN薄膜では添加元素の最適化に加え,多層成膜による取り組みが行われている.一方,これまで我々はZnO薄膜のZnサイトをCeおよびMnを共置換したZn(Ce,Mn)O薄膜を作製し,その強誘電性を報告してきた.しかし,Ecは高い値を示したため,本研究ではZnO薄膜のEc低減を目的としてZn(Ce,Mn)O薄膜の積層構造化を行い,その強誘電特性を測定した.