[8a-N201-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[8a-N201-8] 積層Zn(Ce,Mn)O強誘電体薄膜

〇玉井 敦大¹、吉野 雄大¹、野村 和希¹、何 京瑋¹、Kwoen Sang Hyo¹、足立 秀明¹、神野 伊策¹ (1.神戸大工)

キーワード：

強誘電体薄膜、ZnO薄膜、圧電薄膜

近年，ZnOやAlNに代表されるウルツ鉱構造材料の強誘電性が報告され，その高いP_rから圧電や半導体分野への応用が期待されている．一方，高いE_cの低減が課題となっており，AlN薄膜では添加元素の最適化に加え，多層成膜による取り組みが行われている．一方，これまで我々はZnO薄膜のZnサイトをCeおよびMnを共置換したZn(Ce,Mn)O薄膜を作製し，その強誘電性を報告してきた．しかし，E_cは高い値を示したため，本研究ではZnO薄膜のE_c低減を目的としてZn(Ce,Mn)O薄膜の積層構造化を行い，その強誘電特性を測定した．