[8a-N301-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8a-N301-1] AlN molar fraction dependence of hole concentration in polarization-doped AlGaN without Mg doping

〇Teppei Takehisa¹, Hibiki Muto¹, Sena Miura¹, Marina Fujita¹, Kenta Takase¹, Hisanori Ishiguro¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹, Yoshiki Saito², Koji Okuno² (1.Meijo Univ., 2.TOYODA GOSEI)

Keywords:

polarization doping,UV-C LED

深紫外LEDやレーザーダイオードでは、分極ドーピングによる組成傾斜AlGaN層が用いられている。我々のグループでは、 Mg添加をしない上記分極ドープ層のp型化を初めて報告したが、 電荷中性条件に基づく理論値と同等の正孔濃度は得られなかった。今回、我々はAlN上にMg添加をしない様々なAlNモル分率差の分極ドープAlGaN層上に格子緩和のないAlGaN コンタクト層を有する構造でホール測定用試料を作製し、その正孔濃度を実測した。