[8a-N301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

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[8a-N301-1] Mg添加しない分極ドープAlGaN正孔濃度のAlNモル分率依存性

〇竹久 哲平¹、武藤 響己¹、三浦 聖央¹、藤田 麻里奈¹、高瀬 健太¹、石黒 永孝¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹、齋藤 義樹²、奥野 浩司² (1.名城大理工、2.豊田合成)

キーワード：

分極ドーピング、深紫外LED

深紫外LEDやレーザーダイオードでは、分極ドーピングによる組成傾斜AlGaN層が用いられている。我々のグループでは、 Mg添加をしない上記分極ドープ層のp型化を初めて報告したが、 電荷中性条件に基づく理論値と同等の正孔濃度は得られなかった。今回、我々はAlN上にMg添加をしない様々なAlNモル分率差の分極ドープAlGaN層上に格子緩和のないAlGaN コンタクト層を有する構造でホール測定用試料を作製し、その正孔濃度を実測した。