Presentation Information
[8a-N301-6]Low-Temperature Annealing and Interface Reaction Analysis for Ohmic Contacts in AlGaN UV-B LDs
〇(M1)Ryota Watanabe1, Takumu Saito1, Shundai Maruyama1, Rintaro Miyake1, Shogo Karino1, Yusuke Sasaki1, Naoki Kitta1, Seiya Kato1, Yuma Miyamoto1, Sion Kamiya1, Sho Iwayama1, Yasuo Koide1, Hideto Miyake2, Satoshi Kamiyama1, Tetsuya Takeuchi1, Motoaki Iwaya1 (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ.)
Keywords:
AlGaN,annealing
本研究グループでは、AlGaN系UV-Bレーザーダイオード（LD）の高性能化に向けた研究を進めている。その一環として、MOVPEによる結晶成長温度を800℃まで低温化することで、急峻なヘテロ接合の形成とそれに伴うキャリア注入効率の向上を確認した。本報告では、n型電極に対する低温アニール条件の最適化に向けた検討結果について述べる。