講演情報
[8a-N301-6]AlGaN系UV-B LDにおけるV系n型電極の低温アニールプロセスと界面反応の解析
〇(M1)渡辺 崚太1、齋藤 巧夢1、丸山 竣大1、三宅 倫太郎1、狩野 祥吾1、佐々木 祐輔1、橘田 直樹1、加藤 晴也1、宮本 侑茉1、神谷 始音1、岩山 章1、小出 康夫1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工)
キーワード：
AlGaN、アニール
本研究グループでは、AlGaN系UV-Bレーザーダイオード（LD）の高性能化に向けた研究を進めている。その一環として、MOVPEによる結晶成長温度を800℃まで低温化することで、急峻なヘテロ接合の形成とそれに伴うキャリア注入効率の向上を確認した。本報告では、n型電極に対する低温アニール条件の最適化に向けた検討結果について述べる。