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9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)

[8a-N322-2]Determination of band splitting and hole effective mass of valence band of GaN by angle-resolved photoemission spectroscopy

〇AKihira Munakata¹, Seishu Arikawa¹, Yoshinori Nakagawa², Masaki Kobayashi¹ (1.Univ. of Tokyo, 2.Nichia Corporation)

Keywords:

gallium nitride,angle-resolved photoemission spectroscopy,band structure

半導体のバンド構造を特徴づける物理量(バンドパラメータ)として，価電子帯のバンド分裂や正孔有効質量が挙げられる．これらのバンドパラメータは，半導体の光学的・電気的特性に影響を及ぼす．本研究では，高分解能な角度分解光電子分光(ARPES)測定で得られたGaNの価電子帯構造から，Γ点における価電子帯の各バンド間の分裂とΓ-A方向における各バンドの正孔有効質量を実験的に求めた．

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