講演情報
[8a-N322-2]角度分解光電子分光によるGaN価電子帯バンド分裂と正孔有効質量の決定
〇棟方 晟啓1、有川 世修1、中河 義典2、小林 正起1 (1.東大院工、2.日亜化学)
キーワード：
窒化ガリウム、角度分解光電子分光、バンド構造
半導体のバンド構造を特徴づける物理量(バンドパラメータ)として，価電子帯のバンド分裂や正孔有効質量が挙げられる．これらのバンドパラメータは，半導体の光学的・電気的特性に影響を及ぼす．本研究では，高分解能な角度分解光電子分光(ARPES)測定で得られたGaNの価電子帯構造から，Γ点における価電子帯の各バンド間の分裂とΓ-A方向における各バンドの正孔有効質量を実験的に求めた．