[8a-N322-1~9] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8a-N322-3] Characterization of traps in quartz-free hydride vapor phase epitaxy-grown high-purity n-type GaN by capacitance transient spectroscopy

〇Yusuke Hirayama¹, Masahiro Horita^1,2, Jun Suda^1,2, Shota Kaneki³, Hajime Fujikura³ (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS, 3.Sumitomo Chemical)

Keywords:

GaN,QF-HVPE,DLTS

窒化ガリウム（GaN）縦型パワーデバイスにおいては、低ドープかつ厚膜のn型ドリフト層が不可欠である。Quartz-free HVPE法は、高速成長かつ低ドープ制御が可能であることから、ドリフト層の成長法として期待されている。成長炉の改良により不純物の大幅な低減が実現され、高純度のn型GaNが得られた。本研究では、過渡容量分光法（DLTS）を用いてトラップ評価を行ったので、その結果を報告する。