[8a-N322-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[8a-N322-3] 過渡容量分光法によるQuartz-free-HVPE成長高純度n型GaNのトラップ評価

〇平山 祐輔¹、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2、金木 奨太³、藤倉 序章³ (1.名大院工、2.名大未来研、3.住友化学)

キーワード：

窒化ガリウム、QF-HVPE、DLTS

窒化ガリウム（GaN）縦型パワーデバイスにおいては、低ドープかつ厚膜のn型ドリフト層が不可欠である。Quartz-free HVPE法は、高速成長かつ低ドープ制御が可能であることから、ドリフト層の成長法として期待されている。成長炉の改良により不純物の大幅な低減が実現され、高純度のn型GaNが得られた。本研究では、過渡容量分光法（DLTS）を用いてトラップ評価を行ったので、その結果を報告する。