Presentation Information
[8a-N401-1]DFT study on formation energy of SiSn, GeSn, and SiGe crystals (I)
Investigation of stable atomic configuration covering all independent configurations -
〇Kouji Sueoka1, Hibiki Bekku2, Yusuke Noda3 (1.Okayama Pref. Univ., 2.Grad. School of Okayama Pref. Univ., 3.Kyushu Inst. of Technology)
Keywords:
binary group IV alloy semiconductor,density functional theory calculations
電子デバイスや光デバイスの材料として注目されているIV族混晶半導体について,安定な原子配置に関する実験と理論計算が活発に行われている.本研究では第一原理計算を用い,SiSn,GeSn,SiGe混晶半導体について,独立な原子配置を網羅して形成エネルギーを計算することにより,安定構造を探索した.