[8a-N401-1~12] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

9:30 〜 9:45

[8a-N401-1] SiSn，GeSn，SiGe混晶半導体の形成エネルギーに関する第一原理計算(I)
- 独立な原子配置を網羅した安定構造の探索 -

〇末岡 浩治¹、別宮 響²、野田 祐輔³ (1.岡山県立大情報工、2.岡山県立大院情報系工、3.九工大院情報工)

キーワード：

二元系IV族混晶半導体、第一原理計算

電子デバイスや光デバイスの材料として注目されているIV族混晶半導体について，安定な原子配置に関する実験と理論計算が活発に行われている．本研究では第一原理計算を用い，SiSn，GeSn，SiGe混晶半導体について，独立な原子配置を網羅して形成エネルギーを計算することにより，安定構造を探索した．