[8a-N401-1~12] 15.5 Group IV crystals and alloys

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)

[8a-N401-6] The Effect of Substrate Temperature during Hydrogen Plasma Exposure on Au
on Growth of Vertically Oriented Ge Wires on Quartz Substrate

〇Mihaeru Uematsu¹, Shin-ichi Kobayashi¹ (1.Tokyo Polytechnic Univ.)

Keywords:

Ge Wire,Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,Quartz Substrate

我々は絶縁基板上の低欠陥Ge成長の研究を進めており、石英ガラス基板上に垂直方向に配向するGeワイヤを、プラズマCVD法によるAuを触媒としたVLS法により実現した。講演では、Geワイヤ成長における触媒(Au)の水素プラズマ処理温度の影響について議論する。