講演情報

10:45 〜 11:00

[8a-N401-6]高配向Geワイヤ成長における触媒(Au)の水素プラズマ処理温度の影響

〇植松実生¹、小林信一¹ (1.東京工芸大学)

Geワイヤ、プラズマCVD、石英基板

我々は絶縁基板上の低欠陥Ge成長の研究を進めており、石英ガラス基板上に垂直方向に配向するGeワイヤを、プラズマCVD法によるAuを触媒としたVLS法により実現した。講演では、Geワイヤ成長における触媒(Au)の水素プラズマ処理温度の影響について議論する。