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11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)

[8a-N401-7]Si Incorporation into High-Speed CWLA-Grown Ge Thin Films for Wavelength Control of Light Emission

〇YUTA GOTO^1,2, Matsumura Ryo¹, Fukata Naoki^1,2 (1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba)

Keywords:

laser anneal,Ge,polycrystalline

Geは伸張歪や高濃度n型ドーピングにより擬似直接遷移を示すため，発光素子への応用が期待されている．しかし，Sbの固溶度が低いため(1.1×10¹⁹ atoms/cm³)，高濃度ドーピングの実現が課題となっていた．これに対し我々は，高速CWレーザーアニールにより，Ge薄膜中への固溶度を超えるSbドーピングと同時に伸張歪を印加し，発光強度の増大を実証した．今回は将来的なバンドギャップ制御を視野に，Ge薄膜中へのSi導入がSb活性化や発光特性に与える影響を調査したので報告する．

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