講演情報
[8a-N401-7]発光波長制御のための高速CWLA成長Ge薄膜へのSi添加
〇後藤 雄太1,2、松村 亮1、深田 直樹1,2 (1.物質・材料研究機構、2.筑波大)
キーワード：
レーザーアニール、Ge、多結晶
Geは伸張歪や高濃度n型ドーピングにより擬似直接遷移を示すため，発光素子への応用が期待されている．しかし，Sbの固溶度が低いため(1.1×1019 atoms/cm3)，高濃度ドーピングの実現が課題となっていた．これに対し我々は，高速CWレーザーアニールにより，Ge薄膜中への固溶度を超えるSbドーピングと同時に伸張歪を印加し，発光強度の増大を実証した．今回は将来的なバンドギャップ制御を視野に，Ge薄膜中へのSi導入がSb活性化や発光特性に与える影響を調査したので報告する．